温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响
온도대SiO2광자정체모판중생장InP적영향
Effect of crystallization temperature in infilling of InP in SiO2 artificial opals
  • 万方数据
    量子电子学报 양자전자학보
    CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
    2006年 6期 876-880 ,共5页

    常伟%范广涵%谭春华%李述体%雷勇%黄琨%郑品棋%陈宇彬

    상위%범엄함%담춘화%리술체%뢰용%황곤%정품기%진우빈

    光电子学%有机金属化学气相沉积%光子晶体%人工欧泊%温度 光電子學%有機金屬化學氣相沉積%光子晶體%人工歐泊%溫度
    광전자학%유궤금속화학기상침적%광자정체%인공구박%온도
    制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.
    제비료인공구박SiO2광자정체모판병운용유궤금속화학기상침적(MOCVD)기술재SiO2광자정체모판중생장전충료InP정체.실험연구료불동성핵온도(300℃,350℃,400℃)대우생장전충InP적영향.소묘전경화반사보분석결과현시,온도대우InP재SiO2광자정체모판중적생장유중요영향.수착성핵온도적승고,InP재SiO2광자정체모판중적전충솔수지강저.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문