半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
6期
745-747
,共3页
多孔硅%Zn2+扩散%光致发光
多孔硅%Zn2+擴散%光緻髮光
다공규%Zn2+확산%광치발광
用快扩散方式把Zn2+掺入到单晶硅中,再用阳极电化学腐蚀方法把样品腐蚀成多孔硅.利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性,结果表明Zn2+的扩散增强了多孔硅的荧光发射,并分别利用扫描电镜和傅里叶变换红外光谱仪研究了多孔硅薄膜的表面形态和样品的红外吸收光谱.
用快擴散方式把Zn2+摻入到單晶硅中,再用暘極電化學腐蝕方法把樣品腐蝕成多孔硅.利用熒光分光光度計測試瞭樣品的光緻髮光特性,結果錶明Zn2+的擴散增彊瞭多孔硅的熒光髮射,併分彆利用掃描電鏡和傅裏葉變換紅外光譜儀研究瞭多孔硅薄膜的錶麵形態和樣品的紅外吸收光譜.
용쾌확산방식파Zn2+참입도단정규중,재용양겁전화학부식방법파양품부식성다공규.이용형광분광광도계측시료양품적광치발광특성,결과표명Zn2+적확산증강료다공규적형광발사,병분별이용소묘전경화부리협변환홍외광보의연구료다공규박막적표면형태화양품적홍외흡수광보.
