单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性
단변참잡InAlAs/InGaAs단양자정중이유전자기적자수운특성
Magneto-transport characteristics of two-dimensional electron gas for Si б-doped InAlAs/InGaAs single quantum well
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2006年 4期 2044-2048 ,共5页

    周文政%姚炜%朱博%仇志军%郭少令%林铁%崔利杰%桂永胜%褚君浩

    주문정%요위%주박%구지군%곽소령%림철%최리걸%계영성%저군호

    InAlAs/InGaAs单量子阱%SdH振荡%二维电子气%磁致子带间散射 InAlAs/InGaAs單量子阱%SdH振盪%二維電子氣%磁緻子帶間散射
    InAlAs/InGaAs단양자정%SdH진탕%이유전자기%자치자대간산사
    研究了双子带占据的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B＜1.5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2 /dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.
    연구료쌍자대점거적In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As단양자정중자전조적Shubnikov-de Haas(SdH)진탕효응화곽이효응,획득료불동자대전자적농도、천이솔、유효질량화능급위치.저자감응강도(B＜1.5T)하유천이솔보화다재류자의합상결합적방법득도적각자대전자농도여통과SdH진탕득도적결과일치.재d2 /dB2-1/B적쾌속부리협변환보중,관찰도제료통상강렬의뢰온도적대응우각자대적빈솔f1화f2이급f1적배빈(2f1)외,환관찰도대온도불민감적빈솔f1-f2.저시유우양자정중불동자대적전자구유상근적유효질량,량개자대지간발생료강렬적자치자대간산사.
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