微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
4期
502-505,509
,共5页
CMOS%LC压控振荡器%射频电路
CMOS%LC壓控振盪器%射頻電路
CMOS%LC압공진탕기%사빈전로
采用单层多晶6层金属(1P6M)的0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一个2.4 GHz电感电容压控振荡器(LC tank VCO).该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型.测试结果表明,在VCO的输入参考频率为1 MHz,工作电压1.8 V时,工作电流为5.5 mA,频率调谐范围2.1～2.8 GHz.
採用單層多晶6層金屬(1P6M)的0.18 μm標準CMOS工藝,設計瞭一箇2.4 GHz電感電容壓控振盪器(LC tank VCO).該壓控振盪器的電路結構選用互補交扠耦閤型.測試結果錶明,在VCO的輸入參攷頻率為1 MHz,工作電壓1.8 V時,工作電流為5.5 mA,頻率調諧範圍2.1～2.8 GHz.
채용단층다정6층금속(1P6M)적0.18 μm표준CMOS공예,설계료일개2.4 GHz전감전용압공진탕기(LC tank VCO).해압공진탕기적전로결구선용호보교차우합형.측시결과표명,재VCO적수입삼고빈솔위1 MHz,공작전압1.8 V시,공작전류위5.5 mA,빈솔조해범위2.1～2.8 GHz.
