MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究
MOCVD방법재Ti/Si(111)모판상생장ZnO박막적연구
MOCVD Growth of ZnO Thin Films on Ti/Si( 111 ) Templates
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2006年 1期 63-65,70 ,共4页

    李冬梅%李璠%苏宏波%王立%戴江南%蒲勇%方文卿%江风益

    리동매%리번%소굉파%왕립%대강남%포용%방문경%강풍익

    氧化锌%金属Ti%Si衬底%金属有机化学气相沉积 氧化鋅%金屬Ti%Si襯底%金屬有機化學氣相沉積
    양화자%금속Ti%Si츤저%금속유궤화학기상침적
    本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.
    본문채용상압MOGVD방법재Ti/Si(111)모판상생장료양화자(ZnO)박막,사용이을기자위Zn원,거리자수위O원.Si츤저상적Ti박층채용전자속증발태증발,연후저온생장완충층병재고온하진행중결정,접착재680℃진행ZnO박막적생장.채용분말연사법、쌍정X사선연사급광치발광기술연구료재료적취향、결정성능급발광성능.결과표명,본문제비료고도택우취향화량호발광성능적ZnO박막.
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