电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2006年
1期
120-122
,共3页
张玉林%胡高宏%丘明%齐智平
張玉林%鬍高宏%丘明%齊智平
장옥림%호고굉%구명%제지평
晶体管%低温%仿真/绝缘栅双极晶体管%非穿通型
晶體管%低溫%倣真/絕緣柵雙極晶體管%非穿通型
정체관%저온%방진/절연책쌍겁정체관%비천통형
研究了非穿通型(Non-Punch Through,NPT)IGBT在77～300K之间的暂稳态特性.研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加.在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上,分析了NPT-IGBT低温特性的物理机制,并实现其关键参数随温度变化趋势的计算机仿真,仿真结果与实验数据取得一致.
研究瞭非穿通型(Non-Punch Through,NPT)IGBT在77～300K之間的暫穩態特性.研究錶明,低溫環境下NPT-IGBT的通態壓降、寄生PNP晶體管電流增益和關斷時間均有減小,門檻電壓和跨導增加.在總結併改進硅材料主要參數在低溫區的溫度模型基礎上,分析瞭NPT-IGBT低溫特性的物理機製,併實現其關鍵參數隨溫度變化趨勢的計算機倣真,倣真結果與實驗數據取得一緻.
연구료비천통형(Non-Punch Through,NPT)IGBT재77～300K지간적잠은태특성.연구표명,저온배경하NPT-IGBT적통태압강、기생PNP정체관전류증익화관단시간균유감소,문함전압화과도증가.재총결병개진규재료주요삼수재저온구적온도모형기출상,분석료NPT-IGBT저온특성적물리궤제,병실현기관건삼수수온도변화추세적계산궤방진,방진결과여실험수거취득일치.
