电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2003年
5期
711-713
,共3页
刘欢艳%王蓉%冯军%王志功%熊明珍
劉歡豔%王蓉%馮軍%王誌功%熊明珍
류환염%왕용%풍군%왕지공%웅명진
光接收机%限幅放大器%GaAs HBT工艺
光接收機%限幅放大器%GaAs HBT工藝
광접수궤%한폭방대기%GaAs HBT공예
采用2μm GaAs HBT工艺实现了10Gb/s的限幅放大器.整个系统包括一级输入缓冲、三级放大、一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路四个部分.采用双电源供电,正电源为3.3V,负电源为-2V,功耗为500mW.在输出电压幅度保持恒定(单端峰峰值300mV)的条件下,输入动态范围约为38dB.芯片面积为1.15×0.7mm2.
採用2μm GaAs HBT工藝實現瞭10Gb/s的限幅放大器.整箇繫統包括一級輸入緩遲、三級放大、一級用于驅動50Ω傳輸線的輸齣緩遲和失調電壓補償迴路四箇部分.採用雙電源供電,正電源為3.3V,負電源為-2V,功耗為500mW.在輸齣電壓幅度保持恆定(單耑峰峰值300mV)的條件下,輸入動態範圍約為38dB.芯片麵積為1.15×0.7mm2.
채용2μm GaAs HBT공예실현료10Gb/s적한폭방대기.정개계통포괄일급수입완충、삼급방대、일급용우구동50Ω전수선적수출완충화실조전압보상회로사개부분.채용쌍전원공전,정전원위3.3V,부전원위-2V,공모위500mW.재수출전압폭도보지항정(단단봉봉치300mV)적조건하,수입동태범위약위38dB.심편면적위1.15×0.7mm2.