CAJ | 학술논문

设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件, 用CVD技术制备了粒径为3 ～ 9 nm, 厚度为30 ～ 40 nm的纳米硅薄膜, 并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作, 形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构. 用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性, 用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构, 用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性. 实验结果表明, 当外加电场为5.6 ×105 V/m时, 器件有效区域发射电流密度可达53.5 A/m2.
설계연제료일충기우양자수도효응궤제적장발사압력전감기원형기건, 용CVD기술제비료립경위3 ～ 9 nm, 후도위30 ～ 40 nm적납미규박막, 병동시파저충저유재료인입도전감기음겁발사첨추적제작, 형성납미규박막위실체적발사체결구. 용HREM급TED분석료납미규태적현미특성, 용장발사소묘전자현미경SEM분석료발사체급진렬적미관결구, 용HP4145B정체관삼수측시의고찰료전감기건적장발사특성. 실험결과표명, 당외가전장위5.6 ×105 V/m시, 기건유효구역발사전류밀도가체53.5 A/m2.