CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2000年 4期 444-448 ,共5页

陆妩%郭旗%任迪远%张国强%余学锋%严荣良%胡浴红%王明刚%赵元富

륙무%곽기%임적원%장국강%여학봉%엄영량%호욕홍%왕명강%조원부

互补型金属-氧化物-半导体运算放大器%氧化物电荷%界面态%辐射损伤%钴-60γ辐照互補型金屬-氧化物-半導體運算放大器%氧化物電荷%界麵態%輻射損傷%鈷-60γ輻照
호보형금속-양화물-반도체운산방대기%양화물전하%계면태%복사손상%고-60γ복조

研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律.结果显示,虽然对单管特性而言,干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力,但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性,因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤.表明,适当的界面态的引入,有利于增加负载电流镜的饱和工作范围,从而降低电路的辐射敏感性.
연구료간양화경양합성량충불동공예CMOS운산방대기전로적전리복조향응특정화변화규률.결과현시,수연대단관특성이언,간양공예구유교강적억제복사감생양화물전하화계면태증장적능력,단유우재복조과정중양화물전하적형성개변료전로적대칭성,인이대전로조성비경양합성공예경대적손상.표명,괄당적계면태적인입,유리우증가부재전류경적포화공작범위,종이강저전로적복사민감성.