400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管
400MHz,CW 300W VDMOS공솔장효응정체관
A 400MHz,CW 300W Power VDMOSFET
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2000年 2期 26-28 ,共3页

    刘英坤%王占利%何玉樟%郎秀兰%张大立%夏雷%吴坚%周晓黎

    류영곤%왕점리%하옥장%랑수란%장대립%하뢰%오견%주효려

    高频大功率%Mo栅工艺%VDMOSFET 高頻大功率%Mo柵工藝%VDMOSFET
    고빈대공솔%Mo책공예%VDMOSFET
    采用Mo栅工艺技术降低栅串联电阻,通过优化工艺参数,全离子注入工艺,研制出了在400MHz下共源推挽结构连续波输出300W的高性能VDMOSFET,其漏极效率大于50%,增益大于9dB.
    채용Mo책공예기술강저책천련전조,통과우화공예삼수,전리자주입공예,연제출료재400MHz하공원추만결구련속파수출300W적고성능VDMOSFET,기루겁효솔대우50%,증익대우9dB.
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