TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究
TFT AMLCD상소구진전로중책연지적모의연구
Simulation of Gate Delay for Inverted Staggered a-Si TFT AMLCD
  • 万方数据
    液晶与显示 액정여현시
    CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
    1999年 2期 121-125 ,共5页

    李牧菊%杨柏梁%朱永福%刘传珍%袁剑峰%吴渊%廖燕平

    리목국%양백량%주영복%류전진%원검봉%오연%료연평

    栅电极电阻%交叠电容%沟道电容%信号延迟%RC常数 柵電極電阻%交疊電容%溝道電容%信號延遲%RC常數
    책전겁전조%교첩전용%구도전용%신호연지%RC상수
    建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.
    건립료a-Si TFT AMLCD적등효전로모형, 종합고필책신호선전조、책여원신호선적교첩전용이급TFT도전구도전용구성적RC(Resistivity Capacitance)상수,모의계산료책신호연지대액정현시병척촌、현시분변솔급책신호전겁재료적의뢰관계,위실현기건우화설계제공삼고.
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