微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
2期
90-93
,共4页
SOI%MOSFET%热载流子效应%器件损伤
SOI%MOSFET%熱載流子效應%器件損傷
SOI%MOSFET%열재류자효응%기건손상
当器件尺寸进入深亚微米后,SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视.通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析了这两种器件的退化规律,对这两种器件的热载流子退化机制提出了合理的解释.并模拟了在最坏应力条件下,最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系,说明不同沟长的器件在它们的最大漏偏压以下时,能使Gmmax的退化小于10%.
噹器件呎吋進入深亞微米後,SOI MOS集成電路中的N溝和P溝器件的熱載流子效應引起的器件退化已不能忽視.通過分彆測量這兩種器件的跨導、閾值電壓等參數的退化與應力條件的關繫,分析瞭這兩種器件的退化規律,對這兩種器件的熱載流子退化機製提齣瞭閤理的解釋.併模擬瞭在最壞應力條件下,最大線性區跨導Gmmax退化與漏偏壓應力Vd的關繫,說明不同溝長的器件在它們的最大漏偏壓以下時,能使Gmmax的退化小于10%.
당기건척촌진입심아미미후,SOI MOS집성전로중적N구화P구기건적열재류자효응인기적기건퇴화이불능홀시.통과분별측량저량충기건적과도、역치전압등삼수적퇴화여응력조건적관계,분석료저량충기건적퇴화규률,대저량충기건적열재류자퇴화궤제제출료합리적해석.병모의료재최배응력조건하,최대선성구과도Gmmax퇴화여루편압응력Vd적관계,설명불동구장적기건재타문적최대루편압이하시,능사Gmmax적퇴화소우10%.
