半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2002年
10期
38-42
,共5页
TSPC动态D触发器%双模前置分频器%最高时钟频率%速度优化%CMOS电路设计
TSPC動態D觸髮器%雙模前置分頻器%最高時鐘頻率%速度優化%CMOS電路設計
TSPC동태D촉발기%쌍모전치분빈기%최고시종빈솔%속도우화%CMOS전로설계
给出了一种新的高速动态有比cMOS D触发器的设计.在分析64/65双模前置分频器工作原理的基础上,提出了提高其工作速度的方法,运用单相时钟(TSPC)动态CMOS、伪NMOS等电路技术,设计了多种内部电路结构.经HSPICE模拟,在0.8μmCMOS工艺、电源电压为5V的条件下,最高时钟频率达到了1.7GHz,其速度和集成度远远超过静态CMOS电路.
給齣瞭一種新的高速動態有比cMOS D觸髮器的設計.在分析64/65雙模前置分頻器工作原理的基礎上,提齣瞭提高其工作速度的方法,運用單相時鐘(TSPC)動態CMOS、偽NMOS等電路技術,設計瞭多種內部電路結構.經HSPICE模擬,在0.8μmCMOS工藝、電源電壓為5V的條件下,最高時鐘頻率達到瞭1.7GHz,其速度和集成度遠遠超過靜態CMOS電路.
급출료일충신적고속동태유비cMOS D촉발기적설계.재분석64/65쌍모전치분빈기공작원리적기출상,제출료제고기공작속도적방법,운용단상시종(TSPC)동태CMOS、위NMOS등전로기술,설계료다충내부전로결구.경HSPICE모의,재0.8μmCMOS공예、전원전압위5V적조건하,최고시종빈솔체도료1.7GHz,기속도화집성도원원초과정태CMOS전로.
