发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2002年
4期
377-380
,共4页
曾宇昕%王水凤%程国安%肖志松%徐飞%元美玲
曾宇昕%王水鳳%程國安%肖誌鬆%徐飛%元美玲
증우흔%왕수봉%정국안%초지송%서비%원미령
离子注入%Nd3+%结构%光致发光
離子註入%Nd3+%結構%光緻髮光
리자주입%Nd3+%결구%광치발광
采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕硅化合物.测试了样品的光致荧光谱,在254nm(～5.0eV)光激发下获得了紫蓝光区(410～430nm)和红光区(746nm)荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大.746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁(4F7/2,4S3/2→4I9/2),讨论了注入层结构与荧光发射的相关性.
採用金屬蒸氣真空弧離子源(MEVVA)製備瞭摻Nd3+硅基薄膜材料.用掃描電鏡和X射線衍射觀測瞭錶麵形貌及物相結構隨註入條件、退火溫度的變化,樣品經1000℃退火處理形成NdSi相釹硅化閤物.測試瞭樣品的光緻熒光譜,在254nm(～5.0eV)光激髮下穫得瞭紫藍光區(410～430nm)和紅光區(746nm)熒光髮射,隨著退火溫度的升高,熒光彊度增大.746nm紅光光譜顯示瞭Nd3+特徵光髮射躍遷(4F7/2,4S3/2→4I9/2),討論瞭註入層結構與熒光髮射的相關性.
채용금속증기진공호리자원(MEVVA)제비료참Nd3+규기박막재료.용소묘전경화X사선연사관측료표면형모급물상결구수주입조건、퇴화온도적변화,양품경1000℃퇴화처리형성NdSi상녀규화합물.측시료양품적광치형광보,재254nm(～5.0eV)광격발하획득료자람광구(410～430nm)화홍광구(746nm)형광발사,수착퇴화온도적승고,형광강도증대.746nm홍광광보현시료Nd3+특정광발사약천(4F7/2,4S3/2→4I9/2),토론료주입층결구여형광발사적상관성.
