超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性
초세양화규납미선진렬적제비화발광특성
Synthesis and Photoluminescence of Super Thin and Highly Oriented Silica Nanowires
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2004年 2期 173-177 ,共5页

    朱彦武%陈喜红%陈耀锋%徐军%张洪洲%冯孙齐%俞大鹏%张国义

    주언무%진희홍%진요봉%서군%장홍주%풍손제%유대붕%장국의

    非晶SiO2%纳米线阵列%光致荧光 非晶SiO2%納米線陣列%光緻熒光
    비정SiO2%납미선진렬%광치형광
    以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列.这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm.研究发现,载气的湿度对非晶SiO2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程.对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关.首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用.由于SiO2是传统的光纤材料,单根SiO2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中.
    이액태금속Ga작위최화제합성료대량적비정SiO2납미선진렬.저사납미선구유고도취향성,직경분포균균,평균약8 nm,장도대우300μm.연구발현,재기적습도대비정SiO2납미선진렬적생장유중대영향,제출료일충가능적생장모형,이해석저일여전통적VLS궤제불동적생장과정.대양품적광치형광(PL)보적측량표명,비정SiO2납미선진렬재람광파단부근존재량개흔강차은정적발사봉,타문직접여양품중적결함화공위유관.수차발현료일개은정적PL봉,존재우홍외파단,작위광원,비정SiO2납미선진렬가능회재납미광전자기건중득도응용.유우SiO2시전통적광섬재료,단근SiO2납미선야유희망응용우근장광학소묘현미경(SNOM)지중.
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