原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2002年
4期
406-408
,共3页
电沉积%电沉积槽%Cd靶
電沉積%電沉積槽%Cd靶
전침적%전침적조%Cd파
对加速器生产111In所用镉靶制备工艺进行了研究.通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素,确定了最佳工艺条件.所研制的镉靶厚度大于57 mg/cm2,表面光亮、致密、牢固.
對加速器生產111In所用鎘靶製備工藝進行瞭研究.通過研究電沉積過程中影響Cd靶質量及厚度的各種因素,確定瞭最佳工藝條件.所研製的鎘靶厚度大于57 mg/cm2,錶麵光亮、緻密、牢固.
대가속기생산111In소용력파제비공예진행료연구.통과연구전침적과정중영향Cd파질량급후도적각충인소,학정료최가공예조건.소연제적력파후도대우57 mg/cm2,표면광량、치밀、뢰고.
