CAJ | 학술논문

由于GaN单晶制备比较困难,通常氮化物光电子器件都是制备在蓝宝石衬底上的,而氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别,使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大,影响了器件的发光效率和寿命.PSS技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用.但是由于蓝宝石很高的硬度和化学稳定性,使其刻蚀难度较大.本文研究了ICP刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为Cl2/BCl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着ICP功率、RF功率和气体总流量的增大单调增大;随着压强的减小首先增大,继而减小.当BCl3比例为80%时,刻蚀速率最大.在BCl3流量为80 sccm,Cl2流量为20 sccm,ICP功率为2 500 W,RF功率为500 W,压强为0.9 Pa,温度为60℃时刻蚀速率达到最大值217 nm/min.
유우GaN단정제비비교곤난,통상담화물광전자기건도시제비재람보석츤저상적,이담화물화람보석대적정격실배화열팽창계수적차별,사득재츤저상생장적담화물재료위착화결함밀도교대,영향료기건적발광효솔화수명.PSS기술가이유효지감소외연재료적위착화결함,재담화물기건제비중득도료엄범적응용.단시유우람보석흔고적경도화화학은정성,사기각식난도교대.본문연구료ICP각식람보석중공예삼수대람보석각식속솔적영향규률,소용기체위Cl2/BCl3,연구결과표명,람보석적각식속솔수착ICP공솔、RF공솔화기체총류량적증대단조증대;수착압강적감소수선증대,계이감소.당BCl3비례위80%시,각식속솔최대.재BCl3류량위80 sccm,Cl2류량위20 sccm,ICP공솔위2 500 W,RF공솔위500 W,압강위0.9 Pa,온도위60℃시각식속솔체도최대치217 nm/min.