材料保护
材料保護
재료보호
MATERIALS PROTECTION
2005年
1期
9-12
,共4页
蔡志海%杜玉萍%谭俊%张平%赵军军%黄安平%许仕龙%严辉
蔡誌海%杜玉萍%譚俊%張平%趙軍軍%黃安平%許仕龍%嚴輝
채지해%두옥평%담준%장평%조군군%황안평%허사룡%엄휘
立方氮化硼薄膜%射频磁控溅射%拉曼光谱分析
立方氮化硼薄膜%射頻磁控濺射%拉曼光譜分析
립방담화붕박막%사빈자공천사%랍만광보분석
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响进行了研究.采用傅立叶红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对c-BN薄膜进行了表征和分析.结果表明:300 W的射频功率是制备c-BN薄膜的最佳条件;当气体分压比Ar/N2=5:1时,制备的薄膜中c-BN含量相对最高;立方氮化硼的形成存在偏压阈值(约80 V),低于此偏压c-BN很难形成.拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构.AFM和XPS分析结果表明c-BN薄膜结晶良好,晶粒尺寸细小,具有很好的化学配比,B原子与N原子的含量比为1:l.
運用射頻磁控濺射法在硅片上製備瞭立方氮化硼薄膜,併對射頻功率、氣體分壓比及襯底偏壓等參數對膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影響進行瞭研究.採用傅立葉紅外光譜(FTIR)、拉曼光譜、X射線光電子能譜(XPS)和原子力顯微鏡(AFM)對c-BN薄膜進行瞭錶徵和分析.結果錶明:300 W的射頻功率是製備c-BN薄膜的最佳條件;噹氣體分壓比Ar/N2=5:1時,製備的薄膜中c-BN含量相對最高;立方氮化硼的形成存在偏壓閾值(約80 V),低于此偏壓c-BN很難形成.拉曼光譜分析進一步確認瞭BN薄膜的晶相結構.AFM和XPS分析結果錶明c-BN薄膜結晶良好,晶粒呎吋細小,具有很好的化學配比,B原子與N原子的含量比為1:l.
운용사빈자공천사법재규편상제비료립방담화붕박막,병대사빈공솔、기체분압비급츤저편압등삼수대막중립방담화붕(c-BN)함량적영향진행료연구.채용부립협홍외광보(FTIR)、랍만광보、X사선광전자능보(XPS)화원자력현미경(AFM)대c-BN박막진행료표정화분석.결과표명:300 W적사빈공솔시제비c-BN박막적최가조건;당기체분압비Ar/N2=5:1시,제비적박막중c-BN함량상대최고;립방담화붕적형성존재편압역치(약80 V),저우차편압c-BN흔난형성.랍만광보분석진일보학인료BN박막적정상결구.AFM화XPS분석결과표명c-BN박막결정량호,정립척촌세소,구유흔호적화학배비,B원자여N원자적함량비위1:l.
