固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
1期
152-155
,共4页
互补金属氧化物半导体pH值传感器%氯化硅钝化层%悬浮栅%闭值电压
互補金屬氧化物半導體pH值傳感器%氯化硅鈍化層%懸浮柵%閉值電壓
호보금속양화물반도체pH치전감기%록화규둔화층%현부책%폐치전압
基于0.6μm CMOS工艺设计了一种新型的pH值传感器.多晶硅和双层金属电极形成复合的悬浮栅结构,Si3N4钝化层作为敏感层.传感单元为W/L=500μm/20 μm的PMOS管,其阈值电压随溶液pH值线性变化,并通过恒定PMOS管源漏电压和源漏电流控制电路转换成PMOS管源电压线性输出.PMOS管源电压线性输出范围达到4.6 V,很好满足在不同pH值溶液中测试的要求.采用波长396 nm紫外灯管照射来消除浮栅上电荷,增大阈值电压并有效调整溶液栅电压线性区工作范围.紫外照射后溶液栅电压可偏置在0 V,减少溶液中噪声影响.CMOS pH值传感器的平均灵敏度为35.8mV/pH.
基于0.6μm CMOS工藝設計瞭一種新型的pH值傳感器.多晶硅和雙層金屬電極形成複閤的懸浮柵結構,Si3N4鈍化層作為敏感層.傳感單元為W/L=500μm/20 μm的PMOS管,其閾值電壓隨溶液pH值線性變化,併通過恆定PMOS管源漏電壓和源漏電流控製電路轉換成PMOS管源電壓線性輸齣.PMOS管源電壓線性輸齣範圍達到4.6 V,很好滿足在不同pH值溶液中測試的要求.採用波長396 nm紫外燈管照射來消除浮柵上電荷,增大閾值電壓併有效調整溶液柵電壓線性區工作範圍.紫外照射後溶液柵電壓可偏置在0 V,減少溶液中譟聲影響.CMOS pH值傳感器的平均靈敏度為35.8mV/pH.
기우0.6μm CMOS공예설계료일충신형적pH치전감기.다정규화쌍층금속전겁형성복합적현부책결구,Si3N4둔화층작위민감층.전감단원위W/L=500μm/20 μm적PMOS관,기역치전압수용액pH치선성변화,병통과항정PMOS관원루전압화원루전류공제전로전환성PMOS관원전압선성수출.PMOS관원전압선성수출범위체도4.6 V,흔호만족재불동pH치용액중측시적요구.채용파장396 nm자외등관조사래소제부책상전하,증대역치전압병유효조정용액책전압선성구공작범위.자외조사후용액책전압가편치재0 V,감소용액중조성영향.CMOS pH치전감기적평균령민도위35.8mV/pH.
