CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年 3期 358-361 ,共4页

侯婷婷%薛晨阳%刘国文%贾晓娟%谭振新%张斌珍%刘俊

후정정%설신양%류국문%가효연%담진신%장빈진%류준

砷化镓高电子迁移率晶体管%力电耦合%压阻系数砷化鎵高電子遷移率晶體管%力電耦閤%壓阻繫數
신화가고전자천이솔정체관%력전우합%압조계수

GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处.介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性.测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级.
GaAs HEMT(고전자천이솔정체관)위우미결구현비량근부부근적최대응력처.개소료GaAs HEMT화미결구적설계가공,병통과실험연구료GaAs HEMT재평행우HEMT생장방향(Z방향)단축응력작용하적력전우합특성.측시결과표명:GaAs HEMT불동편압하압조계수불동,차타적최대압조계수위(1.72±0.33)×10-7Pa-1,비Si고출삼개수량급.