光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2002年
12期
1479-1482
,共4页
汪韬%李宝霞%李晓婷%赛小锋%高鸿楷
汪韜%李寶霞%李曉婷%賽小鋒%高鴻楷
왕도%리보하%리효정%새소봉%고홍해
液相金属氧化物化学汽相沉积%GaAs/Ge%反向畴
液相金屬氧化物化學汽相沉積%GaAs/Ge%反嚮疇
액상금속양화물화학기상침적%GaAs/Ge%반향주
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.
採用自製的液相金屬氧化物化學汽相沉積(LP-MOCVD)設備,在Ge(100)嚮(110)麵偏9°外延生長齣GaAs單晶外延層,對電池材料進行瞭X射線衍射測試分析,半峰寬為52″.討論瞭外延生長參量對GaAs/Ge的影響,錶明抑製反嚮疇不僅與過渡層有關,而且與GaAs單晶外延生長參量有關.適噹的生長速率可有效地抑製反嚮疇的生長.
채용자제적액상금속양화물화학기상침적(LP-MOCVD)설비,재Ge(100)향(110)면편9°외연생장출GaAs단정외연층,대전지재료진행료X사선연사측시분석,반봉관위52″.토론료외연생장삼량대GaAs/Ge적영향,표명억제반향주불부여과도층유관,이차여GaAs단정외연생장삼량유관.괄당적생장속솔가유효지억제반향주적생장.
