功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
3期
285-290
,共6页
韦文生%王天民%张春熹%李国华%韩和相%丁琨
韋文生%王天民%張春熹%李國華%韓和相%丁琨
위문생%왕천민%장춘희%리국화%한화상%정곤
nc-Si:H薄膜%微结构%内应力
nc-Si:H薄膜%微結構%內應力
nc-Si:H박막%미결구%내응력
测试了采用 PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力.利用 XRD、 Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了 nc-Si:H薄膜的内应力.结果表明: nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺.压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷 nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在 373-523K之间,掺硼 nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc-Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化.
測試瞭採用 PECVD生長的氫化納米硅(nc-Si:H)薄膜的內應力.利用 XRD、 Raman、AFM、HRTEM研究瞭nc-Si:H薄膜的微結構,用全場薄膜應力測試儀測量瞭 nc-Si:H薄膜的內應力.結果錶明: nc-Si:H薄膜的內應力與薄膜的微結構密切相關,彊烈依賴于製備工藝.壓應力隨摻雜濃度的提高而增加;在一定功率密度範圍內摻燐 nc-Si:H薄膜的壓應力隨功率密度增加而減少,併過渡為張應力;在 373-523K之間,摻硼 nc-Si:H薄膜的壓應力隨襯底溫度升高而增加;nc-Si:H薄膜的壓應力隨氫氣對硅烷稀釋比的變化而變化.
측시료채용 PECVD생장적경화납미규(nc-Si:H)박막적내응력.이용 XRD、 Raman、AFM、HRTEM연구료nc-Si:H박막적미결구,용전장박막응력측시의측량료 nc-Si:H박막적내응력.결과표명: nc-Si:H박막적내응력여박막적미결구밀절상관,강렬의뢰우제비공예.압응력수참잡농도적제고이증가;재일정공솔밀도범위내참린 nc-Si:H박막적압응력수공솔밀도증가이감소,병과도위장응력;재 373-523K지간,참붕 nc-Si:H박막적압응력수츤저온도승고이증가;nc-Si:H박막적압응력수경기대규완희석비적변화이변화.
