现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2005年
24期
1-2,4
,共3页
ICP%MOSFET%射频振荡器%等离子体
ICP%MOSFET%射頻振盪器%等離子體
ICP%MOSFET%사빈진탕기%등리자체
介绍了ICP(感应耦合等离子体)C类射频振荡器的设计和调试结果.低温等离子体的应用已经非常广泛.以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一.传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大,也比较笨重.在射频发生器和等离子体装置之间需要设置射频传输线和匹配箱.以MOSFET代替传统的电子管作为有源器件组成的振荡器,体积很小,可以与等离子体源直接连接,省去了射频传输线和传输线终端的匹配箱.振荡器的频率为13.56 MHz,输出功率为200 W.试验结果达到了设计要求.
介紹瞭ICP(感應耦閤等離子體)C類射頻振盪器的設計和調試結果.低溫等離子體的應用已經非常廣汎.以感應耦閤方式將射頻能量送入中性氣體中激髮等離子體,已經成為重要的等離子體源類型之一.傳統的功率射頻髮生器大多使用電子管,體積大,也比較笨重.在射頻髮生器和等離子體裝置之間需要設置射頻傳輸線和匹配箱.以MOSFET代替傳統的電子管作為有源器件組成的振盪器,體積很小,可以與等離子體源直接連接,省去瞭射頻傳輸線和傳輸線終耑的匹配箱.振盪器的頻率為13.56 MHz,輸齣功率為200 W.試驗結果達到瞭設計要求.
개소료ICP(감응우합등리자체)C류사빈진탕기적설계화조시결과.저온등리자체적응용이경비상엄범.이감응우합방식장사빈능량송입중성기체중격발등리자체,이경성위중요적등리자체원류형지일.전통적공솔사빈발생기대다사용전자관,체적대,야비교분중.재사빈발생기화등리자체장치지간수요설치사빈전수선화필배상.이MOSFET대체전통적전자관작위유원기건조성적진탕기,체적흔소,가이여등리자체원직접련접,성거료사빈전수선화전수선종단적필배상.진탕기적빈솔위13.56 MHz,수출공솔위200 W.시험결과체도료설계요구.
