半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
2期
329-333
,共5页
李诚瞻%刘丹%郑英奎%刘新宇%刘键%魏珂%和致经
李誠瞻%劉丹%鄭英奎%劉新宇%劉鍵%魏珂%和緻經
리성첨%류단%정영규%류신우%류건%위가%화치경
AlGaN/GaN HEMTs%钝化%表面预处理%初始氧化层
AlGaN/GaN HEMTs%鈍化%錶麵預處理%初始氧化層
AlGaN/GaN HEMTs%둔화%표면예처리%초시양화층
提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.
提齣一種新的鈍化技術--採用鹽痠和氫氟痠混閤預處理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)對AIGaN/GaNHEMTs進行錶麵預處理後冉澱積Si3N4鈍化,研究瞭新型鈍化技術對AlGaN/GaN HEMTs性能的影響併分析其機理.與用常規方法鈍化的器件相比,經過錶麵頂處理再鈍化,成功地抑製瞭 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的噁化,有效地增彊抑製電流崩塌效應的能力,將GaN基HEMTs的輸齣功率密度提高到5.2W/mm,併展現良好的電學可靠性.通過X射線光電子譜(XPS)檢測預處理前後的AIGaN錶麵,觀察到經過預處理後的AIGaN錶麵氧元素的含量大幅度下降.錶麵氧元素的含量下降,能有效地降低錶麵態密度和錶麵電荷陷阱密度,被認為是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.
제출일충신적둔화기술--채용염산화경불산혼합예처리용액(HF:HCI:H2O=1:4:20)대AIGaN/GaNHEMTs진행표면예처리후염정적Si3N4둔화,연구료신형둔화기술대AlGaN/GaN HEMTs성능적영향병분석기궤리.여용상규방법둔화적기건상비,경과표면정처리재둔화,성공지억제료 AIGaN/GaN HEMTs초특기특성적악화,유효지증강억제전류붕탑효응적능력,장GaN기HEMTs적수출공솔밀도제고도5.2W/mm,병전현량호적전학가고성.통과X사선광전자보(XPS)검측예처리전후적AIGaN표면,관찰도경과예처리후적AIGaN표면양원소적함량대폭도하강.표면양원소적함량하강,능유효지강저표면태밀도화표면전하함정밀도,피인위시제고AIGaN/GaN HEMTs성능적주요원인.
