电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
4期
1163-1166
,共4页
谢传文%陈磊%陈子晏%李萌%张润曦%赖宗声
謝傳文%陳磊%陳子晏%李萌%張潤晞%賴宗聲
사전문%진뢰%진자안%리맹%장윤희%뢰종성
超高频射频识别%单片集成%阅读器%低相位噪声
超高頻射頻識彆%單片集成%閱讀器%低相位譟聲
초고빈사빈식별%단편집성%열독기%저상위조성
介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路.通过在传统的VCO电路中加入抑制电源噪声的regulator并在共模端加入平衡滤波电路对尾电流源的二次谐波分量进行抑制来降低1/f3区域的相位噪声,同时选取合适的电感值及其Q值使得VCO在1/f2区域也能获得较佳的相位噪声性能.同时,文中给出了本设计中使用的低噪声基准源电路.整个电路采用UMC0.18 μm MM/RF CMOS工艺实现,仿真与测试结果显示所提出的VCO结构和传统VCO相比几乎在所有区域内对相噪声均有5 dB的改善.本设计使用的电源电压为3.3 V,VCO中心频率为1.8 GHz,调谐范围约为11%,频偏1MHz处相位噪声约为-127 dBc/Hz,总电流约为7.2 mA.
介紹瞭一種適用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)閱讀器的低相位譟聲壓控振盪器(VCO)電路.通過在傳統的VCO電路中加入抑製電源譟聲的regulator併在共模耑加入平衡濾波電路對尾電流源的二次諧波分量進行抑製來降低1/f3區域的相位譟聲,同時選取閤適的電感值及其Q值使得VCO在1/f2區域也能穫得較佳的相位譟聲性能.同時,文中給齣瞭本設計中使用的低譟聲基準源電路.整箇電路採用UMC0.18 μm MM/RF CMOS工藝實現,倣真與測試結果顯示所提齣的VCO結構和傳統VCO相比幾乎在所有區域內對相譟聲均有5 dB的改善.本設計使用的電源電壓為3.3 V,VCO中心頻率為1.8 GHz,調諧範圍約為11%,頻偏1MHz處相位譟聲約為-127 dBc/Hz,總電流約為7.2 mA.
개소료일충괄용우UHF RFID(Radio Frequency Identification)열독기적저상위조성압공진탕기(VCO)전로.통과재전통적VCO전로중가입억제전원조성적regulator병재공모단가입평형려파전로대미전류원적이차해파분량진행억제래강저1/f3구역적상위조성,동시선취합괄적전감치급기Q치사득VCO재1/f2구역야능획득교가적상위조성성능.동시,문중급출료본설계중사용적저조성기준원전로.정개전로채용UMC0.18 μm MM/RF CMOS공예실현,방진여측시결과현시소제출적VCO결구화전통VCO상비궤호재소유구역내대상조성균유5 dB적개선.본설계사용적전원전압위3.3 V,VCO중심빈솔위1.8 GHz,조해범위약위11%,빈편1MHz처상위조성약위-127 dBc/Hz,총전류약위7.2 mA.
