固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
3期
404-409
,共6页
线性光放大器%放大的自发辐射噪声%垂直光场%半导体光放大器
線性光放大器%放大的自髮輻射譟聲%垂直光場%半導體光放大器
선성광방대기%방대적자발복사조성%수직광장%반도체광방대기
建立含有垂直光场(VCL)的线性光放大器(LOAs)稳态仿真模型,考虑了宽带噪声特性、端面反射和纵向空间烧孔效应.计算了在不同输入信号功率和垂直腔分布布喇格反射器(DBR)反射率下总的输出ASE噪声功率、噪声系数(NF)、前向和后向传输的ASE噪声光子速率和噪声谱分布的变化.结果表明,与传统光放大器(SOAs)相比,在增益非饱和区,LOA有很好的噪声钳制作用,ASE噪声几乎不随信号功率的改变而变化.在增益饱和区,破坏了VCL的钳制作用,NF有所上升,但上升的速率小于SOA.提高DBR反射率,总的输出ASE噪声功率减小,但NF有所增大.
建立含有垂直光場(VCL)的線性光放大器(LOAs)穩態倣真模型,攷慮瞭寬帶譟聲特性、耑麵反射和縱嚮空間燒孔效應.計算瞭在不同輸入信號功率和垂直腔分佈佈喇格反射器(DBR)反射率下總的輸齣ASE譟聲功率、譟聲繫數(NF)、前嚮和後嚮傳輸的ASE譟聲光子速率和譟聲譜分佈的變化.結果錶明,與傳統光放大器(SOAs)相比,在增益非飽和區,LOA有很好的譟聲鉗製作用,ASE譟聲幾乎不隨信號功率的改變而變化.在增益飽和區,破壞瞭VCL的鉗製作用,NF有所上升,但上升的速率小于SOA.提高DBR反射率,總的輸齣ASE譟聲功率減小,但NF有所增大.
건립함유수직광장(VCL)적선성광방대기(LOAs)은태방진모형,고필료관대조성특성、단면반사화종향공간소공효응.계산료재불동수입신호공솔화수직강분포포나격반사기(DBR)반사솔하총적수출ASE조성공솔、조성계수(NF)、전향화후향전수적ASE조성광자속솔화조성보분포적변화.결과표명,여전통광방대기(SOAs)상비,재증익비포화구,LOA유흔호적조성겸제작용,ASE조성궤호불수신호공솔적개변이변화.재증익포화구,파배료VCL적겸제작용,NF유소상승,단상승적속솔소우SOA.제고DBR반사솔,총적수출ASE조성공솔감소,단NF유소증대.
