低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2006年
2期
197-200
,共4页
张开成%丁莉莉%庄承钢%陈莉萍%陈晋平%冯庆荣
張開成%丁莉莉%莊承鋼%陳莉萍%陳晉平%馮慶榮
장개성%정리리%장승강%진리평%진진평%풍경영
MgB2超导厚膜%R～T曲线%SEM图%M～T曲线
MgB2超導厚膜%R～T麯線%SEM圖%M～T麯線
MgB2초도후막%R～T곡선%SEM도%M～T곡선
我们采用混合物理化学气象沉积方法(简称HPCVD)方法在(0001)晶向的Al 2O 3衬底上成功的沉积了1.3微米厚的MgB 2超导厚膜.电性测量表明这种厚膜具有40.2 K的超导转变温度,转变宽度为0.15 K,绝对零度时 H c 2(0)为13.7 T,同时剩余电阻率达到RRR = 11.磁性测量表明这种厚膜在5 K和零场的条件下具有5×10 6A/cm 3的高临界电流密度.
我們採用混閤物理化學氣象沉積方法(簡稱HPCVD)方法在(0001)晶嚮的Al 2O 3襯底上成功的沉積瞭1.3微米厚的MgB 2超導厚膜.電性測量錶明這種厚膜具有40.2 K的超導轉變溫度,轉變寬度為0.15 K,絕對零度時 H c 2(0)為13.7 T,同時剩餘電阻率達到RRR = 11.磁性測量錶明這種厚膜在5 K和零場的條件下具有5×10 6A/cm 3的高臨界電流密度.
아문채용혼합물이화학기상침적방법(간칭HPCVD)방법재(0001)정향적Al 2O 3츤저상성공적침적료1.3미미후적MgB 2초도후막.전성측량표명저충후막구유40.2 K적초도전변온도,전변관도위0.15 K,절대령도시 H c 2(0)위13.7 T,동시잉여전조솔체도RRR = 11.자성측량표명저충후막재5 K화령장적조건하구유5×10 6A/cm 3적고림계전류밀도.
