半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
7期
879-883
,共5页
杨旭%黄令仪%叶青%周玉梅
楊旭%黃令儀%葉青%週玉梅
양욱%황령의%협청%주옥매
PAE效应%等离子%栅氧化层%可靠性
PAE效應%等離子%柵氧化層%可靠性
PAE효응%등리자%책양화층%가고성
分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于"龙芯-I CPU"的后端设计,保证了投片的一次成功.
分析瞭PAE效應(process antenna effect)的成因,併在此基礎上提齣瞭幾種在深亞微米ASIC設計中消除PAE效應的方法.其方法應用于"龍芯-I CPU"的後耑設計,保證瞭投片的一次成功.
분석료PAE효응(process antenna effect)적성인,병재차기출상제출료궤충재심아미미ASIC설계중소제PAE효응적방법.기방법응용우"룡심-I CPU"적후단설계,보증료투편적일차성공.
