真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
5期
363-366
,共4页
陈长青%丁明清%李兴辉%白国栋%张甫权%冯进军%邵文生
陳長青%丁明清%李興輝%白國棟%張甫權%馮進軍%邵文生
진장청%정명청%리흥휘%백국동%장보권%풍진군%소문생
微图形%定向碳纳米管%场发射阵列冷阴极%直流等离子体增强化学气相沉积
微圖形%定嚮碳納米管%場髮射陣列冷陰極%直流等離子體增彊化學氣相沉積
미도형%정향탄납미관%장발사진렬랭음겁%직류등리자체증강화학기상침적
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1 μm,构成一个发射单元.制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1 μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管.并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试.结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550 μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%.
本文介紹瞭一種微圖形化碳納米管場髮射陣列冷陰極,每箇圖形的直徑僅為1 μm,構成一箇髮射單元.製作工藝如下:首先在硅(100)基片上沉積氮化鈦緩遲層,然後採用曝光工藝穫得直徑為1 μm的膠孔陣列,沉積催化劑鐵,最後採用直流等離子體增彊化學氣相沉積(DC-PECVD)生長直立的碳納米管.併對17500箇髮射單元的陣列陰極進行瞭錶麵形貌錶徵及場髮射特性測試.結果錶明,碳納米管陣列陰極的一緻性較好;最低開啟電場為1 V/μm;電場為17 V/μm時,測得的電流密度已達到90 mA/cm2;髮射電流為550 μA時,在2.5 h內的波動小于5.6%.
본문개소료일충미도형화탄납미관장발사진렬랭음겁,매개도형적직경부위1 μm,구성일개발사단원.제작공예여하:수선재규(100)기편상침적담화태완충층,연후채용폭광공예획득직경위1 μm적효공진렬,침적최화제철,최후채용직류등리자체증강화학기상침적(DC-PECVD)생장직립적탄납미관.병대17500개발사단원적진렬음겁진행료표면형모표정급장발사특성측시.결과표명,탄납미관진렬음겁적일치성교호;최저개계전장위1 V/μm;전장위17 V/μm시,측득적전류밀도이체도90 mA/cm2;발사전류위550 μA시,재2.5 h내적파동소우5.6%.
