半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
3期
521-525
,共5页
高志远%郝跃%李培咸%张进城
高誌遠%郝躍%李培鹹%張進城
고지원%학약%리배함%장진성
GaN%穿透位错%非辐射复合%发光效率
GaN%穿透位錯%非輻射複閤%髮光效率
GaN%천투위착%비복사복합%발광효솔
用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少.两步法生长GaN形成的马赛克结构的亚晶粒尺寸和晶粒间合并产生的位错的弯曲程度是影响材料发光效率的关键.
用陰極射線緻髮光(CL)法、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射(XRD)法研究瞭異質外延GaN材料的髮光性質與結構特性的關繫.結果錶明,GaN外延層中的穿透位錯是材料有效的非輻射複閤中心,但GaN的CL帶邊峰彊度併不隨位錯密度的增加而減少.兩步法生長GaN形成的馬賽剋結構的亞晶粒呎吋和晶粒間閤併產生的位錯的彎麯程度是影響材料髮光效率的關鍵.
용음겁사선치발광(CL)법、투사전자현미경(TEM)화X사선연사(XRD)법연구료이질외연GaN재료적발광성질여결구특성적관계.결과표명,GaN외연층중적천투위착시재료유효적비복사복합중심,단GaN적CL대변봉강도병불수위착밀도적증가이감소.량보법생장GaN형성적마새극결구적아정립척촌화정립간합병산생적위착적만곡정도시영향재료발광효솔적관건.
