CAJ | 학술논문

将预处理过的单晶硅p-Si(100)浸入含贵金属盐的HF溶液,制备了Ag,Au,Pd和Pt的品粒层.用原子力显微镜(AFM)、开路电位(OCP)、循环伏安(CV)和交流阻抗(A. c. Impedance)方法对晶粒层性能进行了考察.形貌显示,在浸镀20s后,Ag和Pd晶粒层基本上覆盖了硅基底,Ag颗粒致密,Pd颗粒之间仍有空隙且晶粒较Ag大.Au晶粒层部分覆盖了基底,而Pt只有极少数的晶粒.60s后,Ag,Pd和Au晶粒层都完全覆盖了基底,而Pt品粒仍然较少,但晶粒有所长大.循环伏安显示,Pd的溶出峰电流比Ag,Au,Pt高1个数量级.交流阻抗测量表明,Pd晶粒层阻抗最小.结果表明,Ag,Pd和Au都能用浸入沉积的方法在单晶硅上短时间内制备出晶粒层,而Pt不能,选用哪种晶粒层,需要根据后续工序和实际需要而定.
장예처리과적단정규p-Si(100)침입함귀금속염적HF용액,제비료Ag,Au,Pd화Pt적품립층.용원자력현미경(AFM)、개로전위(OCP)、순배복안(CV)화교류조항(A. c. Impedance)방법대정립층성능진행료고찰.형모현시,재침도20s후,Ag화Pd정립층기본상복개료규기저,Ag과립치밀,Pd과립지간잉유공극차정립교Ag대.Au정립층부분복개료기저,이Pt지유겁소수적정립.60s후,Ag,Pd화Au정립층도완전복개료기저,이Pt품립잉연교소,단정립유소장대.순배복안현시,Pd적용출봉전류비Ag,Au,Pt고1개수량급.교류조항측량표명,Pd정립층조항최소.결과표명,Ag,Pd화Au도능용침입침적적방법재단정규상단시간내제비출정립층,이Pt불능,선용나충정립층,수요근거후속공서화실제수요이정.