物理学报
物理學報
물이학보
2006年
7期
3524-3530
,共7页
N2-H2辉光放电%Monte Carlo模拟%e-N2碰撞率
N2-H2輝光放電%Monte Carlo模擬%e-N2踫撞率
N2-H2휘광방전%Monte Carlo모의%e-N2팽당솔
通过用Monte Carlo方法模拟N2-H2混合气体直流辉光放电等离子体快电子行为,从不同H2浓度的电子能量分布函数,电子密度以及ef-N2碰撞率等方面,研究了加H2对氮辉光放电等离子体过程的影响.研究结果表明:随着H2浓度的升高,电子的平均能量增加,电子密度及ef-N2的各种非弹性碰撞率减小;但在一定的放电条件下,加入少量的H2,可以提高N2的离解和电子激发率,即选取合适的放电参数,加入少量的氢,不仅可以提高电子密度,而且有助于提高重要氮活性粒子(N2*,N+,N)的浓度.并得到了有利于粒子(N2*,N+,N)产生的H2的最佳浓度.研究结果为认识N2/H2混合气体辉光放电等离子体过程机理,探索提供"氮活化粒子富源"的实验研究提供参考依据.计算的激发态(C3пu)的分布与实验结果进行了比较.
通過用Monte Carlo方法模擬N2-H2混閤氣體直流輝光放電等離子體快電子行為,從不同H2濃度的電子能量分佈函數,電子密度以及ef-N2踫撞率等方麵,研究瞭加H2對氮輝光放電等離子體過程的影響.研究結果錶明:隨著H2濃度的升高,電子的平均能量增加,電子密度及ef-N2的各種非彈性踫撞率減小;但在一定的放電條件下,加入少量的H2,可以提高N2的離解和電子激髮率,即選取閤適的放電參數,加入少量的氫,不僅可以提高電子密度,而且有助于提高重要氮活性粒子(N2*,N+,N)的濃度.併得到瞭有利于粒子(N2*,N+,N)產生的H2的最佳濃度.研究結果為認識N2/H2混閤氣體輝光放電等離子體過程機理,探索提供"氮活化粒子富源"的實驗研究提供參攷依據.計算的激髮態(C3пu)的分佈與實驗結果進行瞭比較.
통과용Monte Carlo방법모의N2-H2혼합기체직류휘광방전등리자체쾌전자행위,종불동H2농도적전자능량분포함수,전자밀도이급ef-N2팽당솔등방면,연구료가H2대담휘광방전등리자체과정적영향.연구결과표명:수착H2농도적승고,전자적평균능량증가,전자밀도급ef-N2적각충비탄성팽당솔감소;단재일정적방전조건하,가입소량적H2,가이제고N2적리해화전자격발솔,즉선취합괄적방전삼수,가입소량적경,불부가이제고전자밀도,이차유조우제고중요담활성입자(N2*,N+,N)적농도.병득도료유리우입자(N2*,N+,N)산생적H2적최가농도.연구결과위인식N2/H2혼합기체휘광방전등리자체과정궤리,탐색제공"담활화입자부원"적실험연구제공삼고의거.계산적격발태(C3пu)적분포여실험결과진행료비교.
