半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
6期
1173-1177
,共5页
程树英%黄赐昌%陈岩清%陈国南
程樹英%黃賜昌%陳巖清%陳國南
정수영%황사창%진암청%진국남
电沉积%SnS薄膜%光电性能
電沉積%SnS薄膜%光電性能
전침적%SnS박막%광전성능
在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5和电流密度J=3.0mA/cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,发现其颗粒较均匀,粒径大小在200～800nm之间.用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV.用四探针法测得其导电类型为p型,电阻率为7.5Ω·cm.
在溶液的pH=2.7,離子濃度比Sn2+/S2O32-=1/5和電流密度J=3.0mA/cm2的條件下,用陰極恆電流沉積法在ITO導電玻璃基片上製備齣瞭Sn0.995S1.005膜層,併用掃描電鏡觀察瞭該薄膜的錶麵形貌,髮現其顆粒較均勻,粒徑大小在200～800nm之間.用X射線衍射分析瞭其物相結構,錶明它是具有正交結構的SnS多晶薄膜.通過測量薄膜樣品的透射光譜和反射光譜,計算得到其直接禁帶寬度Eg=1.23eV.用四探針法測得其導電類型為p型,電阻率為7.5Ω·cm.
재용액적pH=2.7,리자농도비Sn2+/S2O32-=1/5화전류밀도J=3.0mA/cm2적조건하,용음겁항전류침적법재ITO도전파리기편상제비출료Sn0.995S1.005막층,병용소묘전경관찰료해박막적표면형모,발현기과립교균균,립경대소재200～800nm지간.용X사선연사분석료기물상결구,표명타시구유정교결구적SnS다정박막.통과측량박막양품적투사광보화반사광보,계산득도기직접금대관도Eg=1.23eV.용사탐침법측득기도전류형위p형,전조솔위7.5Ω·cm.
