人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
5期
939-942
,共4页
钟雨航%朱世富%赵北君%任锐%何知宇%叶林森%温才
鐘雨航%硃世富%趙北君%任銳%何知宇%葉林森%溫纔
종우항%주세부%조북군%임예%하지우%협림삼%온재
硒化镉%机械化学抛光%抛光液%金相显微镜%电阻率
硒化鎘%機械化學拋光%拋光液%金相顯微鏡%電阻率
서화력%궤계화학포광%포광액%금상현미경%전조솔
采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.
採用相同溫度、剛玉粉、拋光時間和不同方式配製成拋光液,對4組CdSe晶片進行拋光.研究結果錶明,採用化學機械拋光能較大地提高晶片的拋光質量.通過用不同pH值的拋光液對CdSe晶片進行拋光,髮現用NaOH將拋光液pH值調整為8的一組CdSe晶片,穫得瞭最好的拋光效果,電阻率較高,達到3.2×108Ω·cm以上,適閤CdSe探測器製備.
채용상동온도、강옥분、포광시간화불동방식배제성포광액,대4조CdSe정편진행포광.연구결과표명,채용화학궤계포광능교대지제고정편적포광질량.통과용불동pH치적포광액대CdSe정편진행포광,발현용NaOH장포광액pH치조정위8적일조CdSe정편,획득료최호적포광효과,전조솔교고,체도3.2×108Ω·cm이상,괄합CdSe탐측기제비.
