传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2008年
1期
23-26
,共4页
门洪%靳继勇%王伟广%穆胜伟%王平
門洪%靳繼勇%王偉廣%穆勝偉%王平
문홍%근계용%왕위엄%목성위%왕평
微传感器%薄膜传感器%硅片%脉冲激光沉积%铜离子
微傳感器%薄膜傳感器%硅片%脈遲激光沉積%銅離子
미전감기%박막전감기%규편%맥충격광침적%동리자
以铜离子选择电极为靶材,采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器.该传感器的线性区间为10-4～10-6mol/L,标准曲线的斜率为71 nA/decade,检出限为3.0×10-7mol/L,适宜pH范围4～6,响应时间不超过2 min,在12周内该薄膜传感器显示了良好的稳定性和重复性.该薄膜传感器采用交流红外调制光源激发,以外电路中电流幅值变化量为铜离子浓度测量依据,基于电流量来表征薄膜传感器线性区斜率,该薄膜传感器的检出限比对应的铜离子选择电压型电极低,灵敏度提高了2.45倍.
以銅離子選擇電極為靶材,採用脈遲激光沉積技術在p型單晶硅基底上製備瞭一種銅離子選擇電流型薄膜傳感器.該傳感器的線性區間為10-4～10-6mol/L,標準麯線的斜率為71 nA/decade,檢齣限為3.0×10-7mol/L,適宜pH範圍4～6,響應時間不超過2 min,在12週內該薄膜傳感器顯示瞭良好的穩定性和重複性.該薄膜傳感器採用交流紅外調製光源激髮,以外電路中電流幅值變化量為銅離子濃度測量依據,基于電流量來錶徵薄膜傳感器線性區斜率,該薄膜傳感器的檢齣限比對應的銅離子選擇電壓型電極低,靈敏度提高瞭2.45倍.
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