功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
2期
372-375
,共4页
王立峰%贾世星%陆乐%姜理利
王立峰%賈世星%陸樂%薑理利
왕립봉%가세성%륙악%강리리
LPCVD%多晶硅%掺P多晶硅
LPCVD%多晶硅%摻P多晶硅
LPCVD%다정규%참P다정규
对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.
對LPCVD生長結構層多晶硅和摻P多晶硅的原理進行瞭闡述,分析瞭薄膜質量與各項工藝參數的關繫.實驗時,對各項工藝參數進行調節,在保證薄膜質量和片內一緻性的同時取得最大的生長速率.生長齣來的多晶硅結構層厚度達到2μm;摻P多晶硅的厚度達到1OOOhA.
대LPCVD생장결구층다정규화참P다정규적원리진행료천술,분석료박막질량여각항공예삼수적관계.실험시,대각항공예삼수진행조절,재보증박막질량화편내일치성적동시취득최대적생장속솔.생장출래적다정규결구층후도체도2μm;참P다정규적후도체도1OOOhA.
