发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
3期
486-490
,共5页
叶志高%朱丽萍%彭英姿%叶志镇%何海平%赵炳辉
葉誌高%硃麗萍%彭英姿%葉誌鎮%何海平%趙炳輝
협지고%주려평%팽영자%협지진%하해평%조병휘
氧化锌%磁性%Co掺杂%脉冲激光沉积
氧化鋅%磁性%Co摻雜%脈遲激光沉積
양화자%자성%Co참잡%맥충격광침적
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能.实验观察到了700 ℃、0.02 Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中.霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04 Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7 cm2/V· s以上.实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性.
採用脈遲激光沉積(PLD)法在單晶Si(100)及石英襯底上生長Co摻雜ZnO薄膜,併且比較瞭不同生長條件下薄膜的性能.實驗觀察到瞭700 ℃、0.02 Pa氧壓氣氛下生長的Co摻雜ZnO薄膜顯示室溫磁滯迴線.採用XRD、SEM等手段對Co摻雜ZnO薄膜的晶體結構及微觀形貌進行瞭分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c軸擇優取嚮,結構比較緻密,錶麵平整度較高,併且沒有髮現Co的相關分相,初步錶明Co有效地摻入瞭ZnO的晶格噹中.霍爾測試錶明Co摻雜ZnO薄膜樣品保持瞭半導體的電學性能,電阻率為0.04 Ω·cm左右,載流子濃度約為1018/cm3,遷移率都在18.7 cm2/V· s以上.實驗結果錶明材料保持瞭ZnO半導體的性能,併具有室溫鐵磁性.
채용맥충격광침적(PLD)법재단정Si(100)급석영츤저상생장Co참잡ZnO박막,병차비교료불동생장조건하박막적성능.실험관찰도료700 ℃、0.02 Pa양압기분하생장적Co참잡ZnO박막현시실온자체회선.채용XRD、SEM등수단대Co참잡ZnO박막적정체결구급미관형모진행료분석,득도적ZnO박막구유고도적c축택우취향,결구비교치밀,표면평정도교고,병차몰유발현Co적상관분상,초보표명Co유효지참입료ZnO적정격당중.곽이측시표명Co참잡ZnO박막양품보지료반도체적전학성능,전조솔위0.04 Ω·cm좌우,재류자농도약위1018/cm3,천이솔도재18.7 cm2/V· s이상.실험결과표명재료보지료ZnO반도체적성능,병구유실온철자성.
