真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
5期
567-570
,共4页
朱兴华%杨定宇%魏昭荣%李乐中%杨维清%杨军
硃興華%楊定宇%魏昭榮%李樂中%楊維清%楊軍
주흥화%양정우%위소영%리악중%양유청%양군
PbI2薄膜%紫外-可见透过谱%光学带隙%光致发光谱%光电导
PbI2薄膜%紫外-可見透過譜%光學帶隙%光緻髮光譜%光電導
PbI2박막%자외-가견투과보%광학대극%광치발광보%광전도
采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜,研究制备条件对薄膜光电性质的影响.结果表明,不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征,但均属于六方相多晶结构.随着衬底温度的升高,PbI2薄膜的紫外-可见透过谱透过性能提高,光学带隙由室温时的2.33 eV增大到200 ℃时的2.44 eV.同时发现,不同源-衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同.光致发光谱(PL)测试表明,薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁,其PL发光峰的强度和展宽随源-衬间距的增大有明显变化.论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应,发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源-衬间距有密切关系,光电导率的数量级约在10-8～10-9 Ω-1·cm-1之间.
採用電子束蒸髮法製備瞭PbI2多晶薄膜,研究製備條件對薄膜光電性質的影響.結果錶明,不同條件下製備的樣品呈現不同的擇優取嚮生長特徵,但均屬于六方相多晶結構.隨著襯底溫度的升高,PbI2薄膜的紫外-可見透過譜透過性能提高,光學帶隙由室溫時的2.33 eV增大到200 ℃時的2.44 eV.同時髮現,不同源-襯間距製備樣品的光譜透過性能和光學帶隙基本相同.光緻髮光譜(PL)測試錶明,薄膜的髮光可能源自禁帶中的缺陷能級躍遷,其PL髮光峰的彊度和展寬隨源-襯間距的增大有明顯變化.論文最後測試瞭PbI2薄膜在綠光LED照射下的光電導響應,髮現製備樣品的光電導響應性能與薄膜的沉積溫度和源-襯間距有密切關繫,光電導率的數量級約在10-8～10-9 Ω-1·cm-1之間.
채용전자속증발법제비료PbI2다정박막,연구제비조건대박막광전성질적영향.결과표명,불동조건하제비적양품정현불동적택우취향생장특정,단균속우륙방상다정결구.수착츤저온도적승고,PbI2박막적자외-가견투과보투과성능제고,광학대극유실온시적2.33 eV증대도200 ℃시적2.44 eV.동시발현,불동원-츤간거제비양품적광보투과성능화광학대극기본상동.광치발광보(PL)측시표명,박막적발광가능원자금대중적결함능급약천,기PL발광봉적강도화전관수원-츤간거적증대유명현변화.논문최후측시료PbI2박막재록광LED조사하적광전도향응,발현제비양품적광전도향응성능여박막적침적온도화원-츤간거유밀절관계,광전도솔적수량급약재10-8～10-9 Ω-1·cm-1지간.
