固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
4期
528-533
,共6页
零中频%双正交%相位失配%幅度失配
零中頻%雙正交%相位失配%幅度失配
령중빈%쌍정교%상위실배%폭도실배
为了解决单正交零中频混频器I/Q失配造成的影响,提高自身镜像抑制能力.基于电位混频原理采用CMOS 0.18 μm工艺设计出一款工作在1.575 42 GHz双正交结构的抗失调零中频混频器,通过添加四个电容构成MOSFET-C低通滤波器以及两个在低频段工作的运放构成的输出放大级,射频输入信号能够得到有效处理.测试结果表明该结构在镜像抑制能力上比传统结构改善了6 dB左右.电路采用1.8V供电电压,功耗为3.6mw,1MHz频点附近的噪声系数约为17 dB,1 dB输入压缩点为14-6 dBm.
為瞭解決單正交零中頻混頻器I/Q失配造成的影響,提高自身鏡像抑製能力.基于電位混頻原理採用CMOS 0.18 μm工藝設計齣一款工作在1.575 42 GHz雙正交結構的抗失調零中頻混頻器,通過添加四箇電容構成MOSFET-C低通濾波器以及兩箇在低頻段工作的運放構成的輸齣放大級,射頻輸入信號能夠得到有效處理.測試結果錶明該結構在鏡像抑製能力上比傳統結構改善瞭6 dB左右.電路採用1.8V供電電壓,功耗為3.6mw,1MHz頻點附近的譟聲繫數約為17 dB,1 dB輸入壓縮點為14-6 dBm.
위료해결단정교령중빈혼빈기I/Q실배조성적영향,제고자신경상억제능력.기우전위혼빈원리채용CMOS 0.18 μm공예설계출일관공작재1.575 42 GHz쌍정교결구적항실조령중빈혼빈기,통과첨가사개전용구성MOSFET-C저통려파기이급량개재저빈단공작적운방구성적수출방대급,사빈수입신호능구득도유효처리.측시결과표명해결구재경상억제능력상비전통결구개선료6 dB좌우.전로채용1.8V공전전압,공모위3.6mw,1MHz빈점부근적조성계수약위17 dB,1 dB수입압축점위14-6 dBm.
