微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
4期
567-569
,共3页
功率器件%击穿电压%终端技术%场限环
功率器件%擊穿電壓%終耑技術%場限環
공솔기건%격천전압%종단기술%장한배
为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术.采用TCAD(ISE)时该技术进行模拟,结果表明,该技术具有比较好的面积优化和击穿电压优化特性.
為瞭改善高壓功率器件的擊穿電壓、節省芯片麵積,提齣一種P-場限環結閤P+補償結構、同時與金屬偏移場闆技術相結閤的高壓終耑技術.採用TCAD(ISE)時該技術進行模擬,結果錶明,該技術具有比較好的麵積優化和擊穿電壓優化特性.
위료개선고압공솔기건적격천전압、절성심편면적,제출일충P-장한배결합P+보상결구、동시여금속편이장판기술상결합적고압종단기술.채용TCAD(ISE)시해기술진행모의,결과표명,해기술구유비교호적면적우화화격천전압우화특성.
