固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
478-483
,共6页
压控振荡器%相位噪声%开关电容阵列%源极反馈电阻%噪声滤波
壓控振盪器%相位譟聲%開關電容陣列%源極反饋電阻%譟聲濾波
압공진탕기%상위조성%개관전용진렬%원겁반궤전조%조성려파
用SMIC 0.13 μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器(VCO).在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO.测试结果显示,在中心频率频偏1 MHz处的相位噪声为-119 dBc/Hz,频率调谐范围为6.1～6.7GHz,对应的FOM值达到-188 dB.
用SMIC 0.13 μm CMOS工藝實現瞭一箇低相位譟聲的6 GHz壓控振盪器(VCO).在對其相位譟聲分析的基礎上,通過改進和優化傳統的調諧單元和譟聲濾波電路以及加入源極負反饋電阻實現瞭一箇寬帶、低增益、低相位譟聲VCO.測試結果顯示,在中心頻率頻偏1 MHz處的相位譟聲為-119 dBc/Hz,頻率調諧範圍為6.1～6.7GHz,對應的FOM值達到-188 dB.
용SMIC 0.13 μm CMOS공예실현료일개저상위조성적6 GHz압공진탕기(VCO).재대기상위조성분석적기출상,통과개진화우화전통적조해단원화조성려파전로이급가입원겁부반궤전조실현료일개관대、저증익、저상위조성VCO.측시결과현시,재중심빈솔빈편1 MHz처적상위조성위-119 dBc/Hz,빈솔조해범위위6.1～6.7GHz,대응적FOM치체도-188 dB.
