光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
9期
1210-1213
,共4页
于书坤%夏道成%高强%李万程%程传辉%何为%杜国同
于書坤%夏道成%高彊%李萬程%程傳輝%何為%杜國同
우서곤%하도성%고강%리만정%정전휘%하위%두국동
薄膜%光学常数%椭偏光谱%酞菁氧钛%介电常数
薄膜%光學常數%橢偏光譜%酞菁氧鈦%介電常數
박막%광학상수%타편광보%태정양태%개전상수
使用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪,对在单晶硅片上真空蒸镀的酞菁氧钛(TiOPc)薄膜的光学性质进行了研究.在248～1650 nm(0.75～5 ev)的范围内分别使用柯西模型、逐点拟合模型、洛伦兹模型和高斯模型对测得的椭偏光谱进行拟合分析,获得了TiOPc薄膜的折射率、消光系数和复介电常数.通过比较,我们发现高斯模型拟合的均方差较小,拟合数据和测试数据重合度好,而且拟合得到的光学常数的图线光滑连续,因此认为高斯模型最适用于描述TiOPc薄膜的光学性质.由高斯模型拟合所得的消光系数推出了TiOPc薄膜的吸收谱,结果发现TiOPc薄膜存紫外可见近红外区有一系列的吸收峰,分析了其电子结构及吸收谱成因,并由吸收谱推算了其光学禁带宽度.
使用M-2000UI型寬光譜可變入射角橢偏儀,對在單晶硅片上真空蒸鍍的酞菁氧鈦(TiOPc)薄膜的光學性質進行瞭研究.在248～1650 nm(0.75～5 ev)的範圍內分彆使用柯西模型、逐點擬閤模型、洛倫玆模型和高斯模型對測得的橢偏光譜進行擬閤分析,穫得瞭TiOPc薄膜的摺射率、消光繫數和複介電常數.通過比較,我們髮現高斯模型擬閤的均方差較小,擬閤數據和測試數據重閤度好,而且擬閤得到的光學常數的圖線光滑連續,因此認為高斯模型最適用于描述TiOPc薄膜的光學性質.由高斯模型擬閤所得的消光繫數推齣瞭TiOPc薄膜的吸收譜,結果髮現TiOPc薄膜存紫外可見近紅外區有一繫列的吸收峰,分析瞭其電子結構及吸收譜成因,併由吸收譜推算瞭其光學禁帶寬度.
사용M-2000UI형관광보가변입사각타편의,대재단정규편상진공증도적태정양태(TiOPc)박막적광학성질진행료연구.재248～1650 nm(0.75～5 ev)적범위내분별사용가서모형、축점의합모형、락륜자모형화고사모형대측득적타편광보진행의합분석,획득료TiOPc박막적절사솔、소광계수화복개전상수.통과비교,아문발현고사모형의합적균방차교소,의합수거화측시수거중합도호,이차의합득도적광학상수적도선광활련속,인차인위고사모형최괄용우묘술TiOPc박막적광학성질.유고사모형의합소득적소광계수추출료TiOPc박막적흡수보,결과발현TiOPc박막존자외가견근홍외구유일계렬적흡수봉,분석료기전자결구급흡수보성인,병유흡수보추산료기광학금대관도.
