功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2004年
2期
259-263
,共5页
高温氢退火%氧沉淀%晶体原生颗粒(COP)%氧化层错%与时间有关的介质击穿(TDDB)
高溫氫退火%氧沉澱%晶體原生顆粒(COP)%氧化層錯%與時間有關的介質擊穿(TDDB)
고온경퇴화%양침정%정체원생과립(COP)%양화층착%여시간유관적개질격천(TDDB)
研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层.测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果.
研究瞭硅片高溫氫氣退火的工藝技術,實驗顯示,在高溫1150℃,在高純氫氣氛中退火處理至少60min,在硅片錶麵產生約50μm以上的潔淨層.測試瞭退火後硅片中氧的深度分佈,髮現硅片錶麵有一層低氧區,能提高硅片的質量,使氧化層錯的密度降低一箇數量級,測試數據還錶明高溫氫退火對降低COP缺陷的密度和提高氧化層的質量也有一定的效果.
연구료규편고온경기퇴화적공예기술,실험현시,재고온1150℃,재고순경기분중퇴화처리지소60min,재규편표면산생약50μm이상적길정층.측시료퇴화후규편중양적심도분포,발현규편표면유일층저양구,능제고규편적질량,사양화층착적밀도강저일개수량급,측시수거환표명고온경퇴화대강저COP결함적밀도화제고양화층적질량야유일정적효과.
