物理学报
物理學報
물이학보
2007年
2期
1172-1176
,共5页
卫永霞%钱晓梅%俞笑竹%叶超%宁兆元%梁荣庆
衛永霞%錢曉梅%俞笑竹%葉超%寧兆元%樑榮慶
위영하%전효매%유소죽%협초%저조원%량영경
SiCOH薄膜%O2掺杂%介电性能%键结构
SiCOH薄膜%O2摻雜%介電性能%鍵結構
SiCOH박막%O2참잡%개전성능%건결구
以+甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CvD)方法制备了κ=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.
以+甲基環五硅氧烷(D5)和氧氣(O2)作為反應氣體,採用電子迴鏇共振等離子體化學氣相沉積(ECR-CvD)方法製備瞭κ=2.62的SiCOH薄膜.研究瞭O2摻雜對薄膜結構與電學性能的影響.結果錶明,採用O2摻雜可以在保持較低介電常數的前提下極大地降低薄膜的漏電流,提高薄膜的絕緣性能,這與薄膜中Si-O立體鼠籠、Si-OH結構含量的提高有關.
이+갑기배오규양완(D5)화양기(O2)작위반응기체,채용전자회선공진등리자체화학기상침적(ECR-CvD)방법제비료κ=2.62적SiCOH박막.연구료O2참잡대박막결구여전학성능적영향.결과표명,채용O2참잡가이재보지교저개전상수적전제하겁대지강저박막적루전류,제고박막적절연성능,저여박막중Si-O입체서롱、Si-OH결구함량적제고유관.
