微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2007年
12期
66-69
,共4页
李玉红%赵元富%岳素格%梁国朕%林任
李玉紅%趙元富%嶽素格%樑國朕%林任
리옥홍%조원부%악소격%량국짐%림임
单粒子%锁存器%低功耗%敏感点
單粒子%鎖存器%低功耗%敏感點
단입자%쇄존기%저공모%민감점
在近年国际上出现的两种记忆单元DICE (Dual Interlocked storage cell)和GDICE(DICE with guardgates)基础上,设计了两种抗单粒子加固锁存器,称为DICE锁存器和GDICE锁存器,加工工艺为0.18μm.对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量,降低了功耗,增强了抗单粒子瞬态(single event transient,SET)能力.分别对比了两种锁存器的优缺点.建立了一种单粒子瞬态仿真模型,将该模型连接到锁存器的敏感点,仿真测试了这两种锁存器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,得到一些对版图设计有意义的建议.通过比较得知:如果没有特殊版图设计,在单个敏感点被打翻时,DICE锁存器和GDICE锁存器的抗单粒子翻转能力比较强;而在两个敏感点同时被打翻时,抗单粒子翻转能力将比较弱.但如果考虑了特殊版图设计,那么这两种锁存器抗单粒子翻转的优秀能力就能体现出来.
在近年國際上齣現的兩種記憶單元DICE (Dual Interlocked storage cell)和GDICE(DICE with guardgates)基礎上,設計瞭兩種抗單粒子加固鎖存器,稱為DICE鎖存器和GDICE鎖存器,加工工藝為0.18μm.對這兩種鎖存器的改進減少瞭晶體管數量,降低瞭功耗,增彊瞭抗單粒子瞬態(single event transient,SET)能力.分彆對比瞭兩種鎖存器的優缺點.建立瞭一種單粒子瞬態倣真模型,將該模型連接到鎖存器的敏感點,倣真測試瞭這兩種鎖存器的抗單粒子翻轉(single event upset,SEU)能力,得到一些對版圖設計有意義的建議.通過比較得知:如果沒有特殊版圖設計,在單箇敏感點被打翻時,DICE鎖存器和GDICE鎖存器的抗單粒子翻轉能力比較彊;而在兩箇敏感點同時被打翻時,抗單粒子翻轉能力將比較弱.但如果攷慮瞭特殊版圖設計,那麽這兩種鎖存器抗單粒子翻轉的優秀能力就能體現齣來.
재근년국제상출현적량충기억단원DICE (Dual Interlocked storage cell)화GDICE(DICE with guardgates)기출상,설계료량충항단입자가고쇄존기,칭위DICE쇄존기화GDICE쇄존기,가공공예위0.18μm.대저량충쇄존기적개진감소료정체관수량,강저료공모,증강료항단입자순태(single event transient,SET)능력.분별대비료량충쇄존기적우결점.건립료일충단입자순태방진모형,장해모형련접도쇄존기적민감점,방진측시료저량충쇄존기적항단입자번전(single event upset,SEU)능력,득도일사대판도설계유의의적건의.통과비교득지:여과몰유특수판도설계,재단개민감점피타번시,DICE쇄존기화GDICE쇄존기적항단입자번전능력비교강;이재량개민감점동시피타번시,항단입자번전능력장비교약.단여과고필료특수판도설계,나요저량충쇄존기항단입자번전적우수능력취능체현출래.
