微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
10期
611-614,618
,共5页
唐文栋%刘玉岭%宁培桓%田军
唐文棟%劉玉嶺%寧培桓%田軍
당문동%류옥령%저배환%전군
硬盘基板%化学机械抛光%抛光液%粗糙度%波纹度%平整度
硬盤基闆%化學機械拋光%拋光液%粗糙度%波紋度%平整度
경반기판%화학궤계포광%포광액%조조도%파문도%평정도
阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用.使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓度、表面活性剂以及去除量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理.总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液中的浓度、表面活性剂及去除量的变化规律以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表面状况.在总结和分析这些规律的基础上,对抛光结果进行了检测.经检测得出,改善抛光后的硬盘基板表面质量(Ra=0.392 6 nm,Rrms=0.495 3 nm)取得了显著效果.
闡述瞭化學機械拋光(CMP)技術在硬盤基闆加工中髮揮的重要作用,介紹瞭SiO2堿性拋光液的化學機械拋光機理以及拋光液在化學機械拋光中髮揮的重要作用.使用河北工業大學研製的SiO2堿性拋光液對硬盤基闆錶麵拋光,分析研究瞭拋光液中的濃度、錶麵活性劑以及去除量對拋光後硬盤基闆錶麵狀況的影響機理.總結瞭硬盤基闆錶麵粗糙度隨拋光液中的濃度、錶麵活性劑及去除量的變化規律以及拋光液的這些參數如何影響到硬盤基闆的錶麵狀況.在總結和分析這些規律的基礎上,對拋光結果進行瞭檢測.經檢測得齣,改善拋光後的硬盤基闆錶麵質量(Ra=0.392 6 nm,Rrms=0.495 3 nm)取得瞭顯著效果.
천술료화학궤계포광(CMP)기술재경반기판가공중발휘적중요작용,개소료SiO2감성포광액적화학궤계포광궤리이급포광액재화학궤계포광중발휘적중요작용.사용하북공업대학연제적SiO2감성포광액대경반기판표면포광,분석연구료포광액중적농도、표면활성제이급거제량대포광후경반기판표면상황적영향궤리.총결료경반기판표면조조도수포광액중적농도、표면활성제급거제량적변화규률이급포광액적저사삼수여하영향도경반기판적표면상황.재총결화분석저사규률적기출상,대포광결과진행료검측.경검측득출,개선포광후적경반기판표면질량(Ra=0.392 6 nm,Rrms=0.495 3 nm)취득료현저효과.
