半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
10期
1011-1013
,共3页
刘志强%王良臣%伊晓燕%郭恩卿%王国宏%李晋闽
劉誌彊%王良臣%伊曉燕%郭恩卿%王國宏%李晉閩
류지강%왕량신%이효연%곽은경%왕국굉%리진민
热压键合%氮化镓%应力损伤%反向漏电
熱壓鍵閤%氮化鎵%應力損傷%反嚮漏電
열압건합%담화가%응력손상%반향루전
热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,通过TEM,PL,Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效率以及反向漏电间的内在联系,研究以键合引起的应力诱导垂直结构GaN基LED光电特性的退化机制,探讨应力损伤对垂直结构GaN基LED光电特性的影响.实验结果表明,热压键合过程会在GaN材料内产生GPa量级的残余应力,在量子限制strark效应作用下,GaN材料辐射复合效率发生明显退化;同时热压键合应力还会诱发GaN材料位错密度的增加,最终导致LED反向漏电增大.
熱壓鍵閤是垂直結構LED製備的關鍵工藝步驟,通過TEM,PL,Raman等測試手段,探討熱壓鍵閤造成的應力損傷、GaN材料缺陷、LED內量子效率以及反嚮漏電間的內在聯繫,研究以鍵閤引起的應力誘導垂直結構GaN基LED光電特性的退化機製,探討應力損傷對垂直結構GaN基LED光電特性的影響.實驗結果錶明,熱壓鍵閤過程會在GaN材料內產生GPa量級的殘餘應力,在量子限製strark效應作用下,GaN材料輻射複閤效率髮生明顯退化;同時熱壓鍵閤應力還會誘髮GaN材料位錯密度的增加,最終導緻LED反嚮漏電增大.
열압건합시수직결구LED제비적관건공예보취,통과TEM,PL,Raman등측시수단,탐토열압건합조성적응력손상、GaN재료결함、LED내양자효솔이급반향루전간적내재련계,연구이건합인기적응력유도수직결구GaN기LED광전특성적퇴화궤제,탐토응력손상대수직결구GaN기LED광전특성적영향.실험결과표명,열압건합과정회재GaN재료내산생GPa량급적잔여응력,재양자한제strark효응작용하,GaN재료복사복합효솔발생명현퇴화;동시열압건합응력환회유발GaN재료위착밀도적증가,최종도치LED반향루전증대.
