内江科技
內江科技
내강과기
NEI JIANG KE JI
2009年
11期
90,93
,共2页
InSb焦平面探测器%ZnS%增透%磁控溅射
InSb焦平麵探測器%ZnS%增透%磁控濺射
InSb초평면탐측기%ZnS%증투%자공천사
在InSb焦平面探测器(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大InSb芯片对红外光的吸收.本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnS膜和SiO2膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性.
在InSb焦平麵探測器(FPA)製造中,InSb芯片揹麵經磨拋減薄後需要在錶麵鍍製增透膜,增大InSb芯片對紅外光的吸收.本文介紹瞭採用磁控濺射方法鍍製不同厚度的ZnS膜,測量其光譜透過率及反射率,利用紅外焦平麵測試繫統比較瞭ZnS膜和SiO2膜的增透效果,結果錶明磁控濺射的ZnS膜具有更優的增透效果和均勻性.
재InSb초평면탐측기(FPA)제조중,InSb심편배면경마포감박후수요재표면도제증투막,증대InSb심편대홍외광적흡수.본문개소료채용자공천사방법도제불동후도적ZnS막,측량기광보투과솔급반사솔,이용홍외초평면측시계통비교료ZnS막화SiO2막적증투효과,결과표명자공천사적ZnS막구유경우적증투효과화균균성.
