电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
4期
1246-1248
,共3页
指数函数%电压模式%CMOS工艺%dB-线性
指數函數%電壓模式%CMOS工藝%dB-線性
지수함수%전압모식%CMOS공예%dB-선성
根据函数(1+x)/(1-x),利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,3.3 V工作电压下的Hspice仿真结果显示电路的输出电压与输入电压之间成良好的指数关系即dB-线性关系.在dB-线性内,输出电压的动态范围为20 dB,误差在1 dB之内.
根據函數(1+x)/(1-x),利用MOS晶體管工作在飽和區的平方律特性,設計瞭一種電壓模式的CMOS偽指數功能電路.該指數電路由一對簡單的揹對揹電流鏡和一箇電流模式的除法器構成.基于TSMC 0.18 μm CMOS工藝,3.3 V工作電壓下的Hspice倣真結果顯示電路的輸齣電壓與輸入電壓之間成良好的指數關繫即dB-線性關繫.在dB-線性內,輸齣電壓的動態範圍為20 dB,誤差在1 dB之內.
근거함수(1+x)/(1-x),이용MOS정체관공작재포화구적평방률특성,설계료일충전압모식적CMOS위지수공능전로.해지수전로유일대간단적배대배전류경화일개전류모식적제법기구성.기우TSMC 0.18 μm CMOS공예,3.3 V공작전압하적Hspice방진결과현시전로적수출전압여수입전압지간성량호적지수관계즉dB-선성관계.재dB-선성내,수출전압적동태범위위20 dB,오차재1 dB지내.
