微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
2期
115-120
,共6页
赵珉%陈宝钦%谢常青%刘明%牛洁斌
趙珉%陳寶欽%謝常青%劉明%牛潔斌
조민%진보흠%사상청%류명%우길빈
电子束光刻%邻近效应校正%电子散射%散射参数%微细加工%抗蚀剂
電子束光刻%鄰近效應校正%電子散射%散射參數%微細加工%抗蝕劑
전자속광각%린근효응교정%전자산사%산사삼수%미세가공%항식제
准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键.采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法.邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定.根据此方法提取了150 nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50 kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性.
準確提取電子散射參數是確保納米級電子束光刻鄰近效應校正精度的關鍵.採用瞭一種不基于線寬測量和非線性麯線擬閤的電子散射參數提取的方法.鄰近效應校正的近似函數採用雙高斯分佈,其中η的提取是基于設計線寬變化與相應曝光劑量之間的線性關繫進行擬閤而得;α和β的提取則是分彆根據前散射和揹散射的範圍設計特定的提取版圖,併根據電子束鄰近效應產生的特殊現象進行參數值的確定.根據此方法提取瞭150 nm厚負性HSQ抗蝕劑層在50 kV入射電壓下的散射參數,併將其應用于鄰近效應校正曝光實驗中,很好地剋服瞭電子束鄰近效應的影響,驗證瞭此方法提取電子束曝光鄰近效應校正參數的實用性及準確性.
준학제취전자산사삼수시학보납미급전자속광각린근효응교정정도적관건.채용료일충불기우선관측량화비선성곡선의합적전자산사삼수제취적방법.린근효응교정적근사함수채용쌍고사분포,기중η적제취시기우설계선관변화여상응폭광제량지간적선성관계진행의합이득;α화β적제취칙시분별근거전산사화배산사적범위설계특정적제취판도,병근거전자속린근효응산생적특수현상진행삼수치적학정.근거차방법제취료150 nm후부성HSQ항식제층재50 kV입사전압하적산사삼수,병장기응용우린근효응교정폭광실험중,흔호지극복료전자속린근효응적영향,험증료차방법제취전자속폭광린근효응교정삼수적실용성급준학성.
